宽禁带半导体为何能成为第三代半导体
发布时间：2020-09-29 23:16:16 所属栏目：点评 来源：网络整理
导读：副标题#e# 作者| 薛定谔的咸鱼 2020年9月27日，近期，第三代半导体产业将写入十四五规划的消息在网络上传播。第三代半导体主要是指氮化镓和碳化硅、氧化锌、氧化铝、金刚石等宽禁带半导体，它们通常都具有高击穿电
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意法半导体(ST)新材料和电源方案事业部的创新和关键项目战略营销总监Filippo Di Giovanni预测：“随着GaN技术向更小的工艺节点演进，在达到0.15μm栅长时，GaN将挑战GaAs器件在便携式无线应用中的主导地位。” 我国先进的光刻机可能在短期内无法突破，在如果只是光刻0.15μm（150nm）的光刻机还是没有问题的。 （编辑：源码网） 【声明】本站内容均来自网络，其相关言论仅代表作者个人观点，不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利，请及时与联系站长删除相关内容! |